Интернет-выставка "Высокие технологии"

Логин: Пароль:
( Забыли пароль? ) Регистрация

Способ получения монокристаллического оксида цинка с быстрым излучением в ультрафиолетовой области спектра


Назначение

Изготовление мощных твердопетельных лазеров, работающих в УФ – области спектра.

Описание проекта

Путем окислительно-восстановительной реакции в водороде под давлением в присутствии галлия, процесс осуществляют при температуре зоны подложки 770–940К и зоны тигля
990–1020К после чего проводят отжиг оксида цинка, легирован-ного галлием, на воздухе или в кислороде атмосферного давления при температуре 970–1020К в течении времени t >=40 мин, а затем выдерживают его в водороде под давлением при температуре 820К в течение времени t >= 10 мин.

Стадия разработки

Научная разработка, инновационный проект, патент No2202010 от 10.04.03.

Предложения по сотрудничеству

Доведению разработки до промышленного уровня, продажа лицензий; предоставление коммерческой информации.
Объем инвестиций: на договорной основе. Период окупаемости 3–5 лет.

Организации-разработчики

ГОУ ВПО "Дагестанский государственный университет"

Выставки, в которых этот проект принимал участие

Четвертый Московский международный салон инноваций и инвестиций



© 1994–2011 ФГУ НИИ РИНКЦЭ