Интернет-выставка "Высокие технологии"

Логин: Пароль:
( Забыли пароль? ) Регистрация

Разработка лазерных элементов Cr2+ ZnSe, Cr2+ ZnS; Ln PbGa2S4, Ln Pb2Ga2S5 с целью получения источников излучения среднего ИК-диапазона


Назначение

Элементная база для лазеров среднего ИК-диапазона.

Описание проекта

Разработка халькогенидных кристаллов, активированных ионами редкоземельных элементов и d-элементов.

Стадия разработки

Опытные образцы.

Предложения по сотрудничеству

Доведение разработки до промышленного уровня и продажа готовой продукции.
Наличие документов о правовой защите интеллектуальной собственности: Ноу-Хау.

Организации-разработчики

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет"

Выставки, в которых этот проект принимал участие

Четвертый Московский международный салон инноваций и инвестиций



© 1994–2011 ФГУ НИИ РИНКЦЭ