Интернет-выставка "Высокие технологии"

Логин: Пароль:
( Забыли пароль? ) Регистрация

Методика анализа концентраций собственных дефектов в соединениях А(2)B(6)


Назначение

Фундаментальные исследования в области изучения термодинамики собственных дефектов, с целью определения влияния корреляции технологических режимов синтеза полупроводникового соединения на степень несовершенства кристаллической структуры.

Описание проекта

Методика основана на совместном анализе трех независимых методов исследования (термостимулированной люминесценции (ТСЛ), оптической спектроскопии и метода мгновенного фиксирования ЭДС (МФЭ).

Стадия разработки

Экспериментальная разработка.

Предложения по сотрудничеству

разработка экспресс метода анализа объемных, порошковых и пленочных полупроводниковых материалов на степень несовершенства кристаллической структуры.
– изготовление лабораторных установок.
Объем инвестиций, период окупаемости – 0,5–1,5 млн. руб.

Организации-разработчики

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет"

Выставки, в которых этот проект принимал участие

Четвертый Московский международный салон инноваций и инвестиций



© 1994–2011 ФГУ НИИ РИНКЦЭ